YJD18GP10A دیتاشیت

YANGJIE YJD18GP10A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت YANGJIE YJD18GP10A
حجم فایل 71.785 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت YANGJIE YJD18GP10A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD18GP10A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 72W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 9.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.051nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 18A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,10A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Yangzhou Yangjie Elec Tech

محصولات مشابه